OSI的光電提供了兩種紫外增強型硅光電二極管截然不同的的家庭。反轉通道串聯和平面擴散系列。的器件這兩個系列是專為在的電磁波譜紫外區低噪聲檢測。逆溫層結構紫外增強光敏展出100 ％內部量子效率和有豐富經驗的弱光測量的理想選擇。他們有較高的分流電阻，低噪音，高擊穿電壓。在表面和量子效率的響應均勻提高5至10伏的應用反向偏壓。 Photocureent非線性集在反演層相比，擴散的產品低光電流。低于700nm之間，其響應度隨溫度不大。

平面擴散結構(紫外線- D系列)紫外線增強光電二極管顯示顯著的優勢超過逆溫層設備，如低電容和更高的響應時間。這些器件表現出線性度的光電流最多較高的響應時間。這些器件展出線性的光電流至更高的光輸入功率相比，逆溫層器件。他們有相對較低的響應度和量子效率相比，逆溫層設備。

有兩種類型的平面擴散紫外線增強光電二極管可用： UVD技術和機UVE 。這兩個系列都幾乎相同的光電特性，除了在機UVE系列，其中的設備近紅外反應被抑制。這是特別可取的，如果堵住了光譜近紅外區是必要的。 UVD技術設備的峰值970 nm和在720 nm的(見圖表)機UVE設備。這兩個系列可能會偏向低電容，更快的響應和更寬的動態范圍。或者，他們可以工作在光伏(無偏)需要隨溫度變化的低漂移的應用模式。本機UVE器件具有比的UVD設備同行更高分流電阻，但有較高的電容。這些探測器的耦合中的電流模式配置運算放大器理想如上所示；應用于：

• 脈沖檢測器
• 光通信
• 條碼閱讀器
• 光學遙感控制
• 醫療設備
• 高速光度法